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2N7002DW H6327 /MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
2N7002DW H6327的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:300 mA

Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:600 pC, 600 pC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.9 mm

长度:2 mm

系列:2N7002

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:1.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:200 mS, 200 mS

下降时间:3.1 ns, 3.1 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:3.3 ns, 3.3 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:5.5 ns, 5.5 ns

典型接通延迟时间:3 ns, 3 ns

零件号别名:2N7002DWH6327XTSA1 2N72DWH6327XT SP000917596

单位重量:7.500 mg

供应商2N7002DW H6327
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